应兰州大学核科学与技术学院、稀有同位素前沿科学中心邀请，哈尔滨工业大学物理学院蔡勖升研究员将于2026年5月13日来校进行学术交流并作报告。

报告题目：Fabrication of Thin Film Materials Using the Plasma and/or Ion Beam Techniques for Potential Applications

报告时间：2026年5月13日（星期三）10：00    

报告地点：城关校区（西区）理工楼822会议室

欢迎广大师生参加！

【报告摘要】

本报告介绍基于等离子体辅助及离子注入技术合成多种二维材料及过渡金属氮化物薄膜电极的研究。成功在SiC、SiGe、InP、InAs、InSb等衬底上制备了多层石墨烯、锗烯、磷烯、砷烯、锑烯、硅烯及硼烯，并探讨了热力学选择机制、涡轮层堆叠及量子限域效应。进一步扩展至二元二维材料（MoSe？、HfSe？、TaSe？），观察到金属-电荷密度波相变行为。此外，利用氮等离子体浸入法制备了Hf？N？、MoN、W？N、Fe？N等过渡金属氮化物薄膜电极，研究表明该方法可提高缺陷密度和比表面积，有效抑制体积膨胀、降低极化并提升锂离子电池比容量。

【报告人简介】

蔡勖升，哈尔滨工业大学物理学院研究员、博士生导师。籍贯中国台湾省台北市，1983年出生。2015年于台湾清华大学（中国台湾）获得材料科学与工程博士学位，先后在台湾清华大学、捷克科学院核物理研究所、德国亥姆霍兹研究中心（HZDR）及中国台湾“中央研究院”从事博士后或客座研究。2019年10月起任职于哈尔滨工业大学空间环境与物质科学研究院及物理学院,长期致力于等离子体与离子束技术制备二维材料及其物理性质研究，率先开发了离子束辅助合成多种单元素二维材料的技术，并拓展至过渡金属二硫属化物及过渡金属氮化物薄膜电极等方向。累计发表SCI论文66篇（第一或通讯作者37篇），H因子22，获授权美国及中国台湾地区发明专利各1项。曾获2018年德国洪堡学者荣誉（中国台湾地区平均每年1-2人获奖）。主持包括德国洪堡基金会、国家外国专家局、哈尔滨工业大学等多项科研项目，目前主要开展离子束辅助二维材料晶体管器件及电池电极材料的研究。                                                                                                                                                                       

核科学与技术学院

稀有同位素前沿科学中心

2026年5月12日