应兰州大学核科学与技术学院、稀有同位素前沿科学中心邀请，中国科学院合肥物质科学院韩运成研究员将于2025年11月19日来校进行学术交流并作报告。

报告题目：碳化硅半导体探测器研究及应用进展

报告时间：2025年11月19日（星期三）10：00

报告地点：城关校区（东区）核学楼321报告厅

欢迎广大师生参加！

【报告摘要】

核探测技术作为现代科技的重要组成部分，已广泛应用于基础研究、能源动力及医疗健康等众多领域。传统的硅基探测器在高温或强辐照等极端环境条件下的性能表现受到严重制约，随着对高性能探测器需求的增加，迫切需要开发新的、更为先进的半导体探测技术。宽禁带半导体材料碳化硅由于其具备大位移阈能、高热导率、高击穿场强以及制造工艺成熟等优点，受到了核探测器领域的重点关注。本报告将简要介绍中国科学院合肥物质院探测器研发团队在碳化硅探测器方向的进展情况。主要内容包括：1）探索并确立了能大幅度改善SiO2/4H-SiC界面质量的NO退火后处理工艺，显著提升了探测器的能量分辨（优于0.50%@5486 keV）和耐中子辐照性能；2）设计并制备了面向12 MeV高能α粒子的探测器阵列，80℃条件下获得的能量分辨率整体优于1.50%@5486 keV；3）设计并制备了面向14 MeV高能中子的探测器，获得了良好的能量分辨和线性响应，高温测试表明器件在300℃条件下仍能正常工作。以上系列研究工作通过对探测器研发过程涉及的包括理论计算、器件设计、制备工艺、性能测试在内的全链条系统分析，获得了4H-SiC探测器在高温和辐射环境下的性能优化与提升优化策略，为4H-SiC辐射探测器在极端环境中的实践应用奠定了技术基础。

【报告人简介】

中国科学院合肥物质科学院，研究员。

2010年博士毕业于兰州大学，先后在美国Jefferson Lab和日本J-PARC进行博士后研究，2015年入职中国科学院合肥物质院；主要进行新型核探测器研究，主持安徽省重点研发计划、安徽省自然科学基金，参与国家自然科学基金联合项目，入选安徽省、广东省、北京市科技项目评审专家及合肥市级领军人才，研究成果发表学术论文30余篇，申报专利20余项。 

                                                                                                                                                                         核科学与技术学院

稀有同位素前沿科学中心

2025年11月14日