应兰州大学稀有同位素前沿科学中心邀请，芬兰赫尔辛基大学Flyura Djurabekova教授将于2025年9月20日来校进行学术交流并作报告。

报告题目：Atom-level mechanisms of solid-to-solid phase transformations in gallium oxide under ion irradiation in the broad range of energies

报告时间：2025年9月20日（星期六）14：30    

报告地点：城关校区（东区）核学楼221报告厅

欢迎广大师生参加！

【报告摘要】

报告主要介绍芬兰赫尔辛基大学加速器实验室计算模拟团队在超宽禁带半导体Ga2O3离子辐照损伤研究方面的最新进展。包括构建极高准确性的机器学习GAP势场，并证实其结果与直接第一性原理分子动力学（AIMD）模拟高度一致，同时高效的tabGAP势能在解释实验结果方面也表现出色。研究揭示了Ga2O3卓越辐射耐受性的原因，即γ-Ga亚晶格固有的缺陷性质以及氧亚晶格强烈的复合倾向，这些因素构成了Ga2O3材料长期抵抗辐射效应的驱动力。

【报告人简介】

Flyura Djurabekova，芬兰赫尔辛基大学 (University of Helsinki)教授，加速器实验室多尺度计算团队领导者，在材料科学和计算物理领域享有盛誉。主要研究领域包括：材料辐射损伤与改性、真空放电机制、多尺度模拟、纳米材料以及模拟计算方法的开发等。在Nat. Commun.，PRL等顶尖的学术期刊上发表了大量高影响力论文，累计发表高水平学术论文300余篇。与世界多地的研究机合作紧密，经常受邀在国际会议上做特邀报告。培养了众多优秀的博士生和博士后研究员，是多个国际科学委员会和审稿委员会的成员，为学术界的发展做出了突出贡献。

稀有同位素前沿科学中心

2025年9月16日